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抑制性突触后电位

2023-12-28 15:00:07576

抑制型神经递质后电位差是突触前膜释放出来抑制型递质,造成 突触后膜关键对Cl渗透性提升,Cl内流造成部分超极化电位差。突触后膜在递质功效下产生超极化,使该神经递质后神经细胞的激动降低,这类电位差转变称之为抑制型神经递质后电位差。

 抑制性突触后电位

界定

即当激动(动作电位)抵达神经递质前化学纤维尾端时,根据有机化学的或电的方法被传送到神经递质后神经细胞,在那里造成抑制型神经递质后电位差。

电位差转变

抑制型神经递质后电位差由于其超极化和正离子透性的扩大而造成的短路故障效用,使体液调节神经递质后电位差的去极化降低,而抑止了动作电位的产生。

体液调节神经递质后电位差:突触前膜释放出来体液调节递质⇒功效于突触后膜上的蛋白激酶⇒后膜对钾离子和钠离子的渗透性提高⇒部分膜的去极化⇒总数达阈电位⇒动作电位

抑制型神经递质后电位差:突触前膜释放出来抑制型递质⇒功效于突触后膜的蛋白激酶⇒后膜上的氯离子含量安全通道对外开放⇒氯离子含量内流⇒超极化

 抑制性突触后电位

特性

(1)突触前膜释放出来递质是Cl-内流引起的;

(2)递质是以囊泡的方式以出胞功效的方法释放出的;

(3)IPSP是局部电位,而不是动作电位;

(4)IPSP是突触后膜正离子渗透性转变引发,与突触前膜不相干。

 抑制性突触后电位

体制

突触后膜在递质功效下产生超极化,使该神经递质后神经细胞的激动降低,这类电位差转变称之为抑制型神经递质后电位差(IPSP)。其造成体制为抑制型递质功效于突触后膜,使后膜上的配位自动门CI-安全通道对外开放,造成CI-内流,突触后膜产生超极化。除此之外,IPSP的产生还可能与突触后膜K 安全通道的对外开放或Na 、Ca2 安全通道的关掉相关。

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